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PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Pontuação geral
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
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Razões a considerar
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
41
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
10.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.7
13.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2621
3341
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
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