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PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Compara
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Puntuación global
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
41
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.7
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2621
3341
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
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