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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Kingston X2YH1K-MIE 16GB

総合得点
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

総合得点
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Kingston X2YH1K-MIE 16GB

Kingston X2YH1K-MIE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Kingston X2YH1K-MIE 16GB 考慮すべき理由
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    40 left arrow 43
    周辺 -8% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 12.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.8 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    12.7 left arrow 16.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 9.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2057 left arrow 2875

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Kingston 9905744-023.A00G 16GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston 9905713-017.A00G 4GB
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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Kingston KVR24N17S8/4 4GB
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メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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メモリRAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
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メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
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Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
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