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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB

総合得点
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

総合得点
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Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB

Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 35
    周辺 31% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.4 left arrow 9.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.4 left arrow 8.3
    テスト平均値
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB 考慮すべき理由
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    14.4 left arrow 9.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.4 left arrow 8.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2267 left arrow 2229

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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PNY Electronics PNY 2GB
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Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingston 9905744-076.A00G 16GB
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メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Kingston 99U5428-042.A00G 4GB
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Corsair CMSA8GX3M2A1333C9 4GB
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メモリRAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Kingston 9965600-027.A01G 16GB
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メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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