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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB

総合得点
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
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Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
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Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 27
    周辺 -4% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.7 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.9 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 15.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 11.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 2706

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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
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メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
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メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
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メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Kingston 9905630-048.A00G 16GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
メモリRAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Kingston 9965596-035.B00G 4GB
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メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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