Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

総合得点

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

総合得点

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

考慮すべき理由
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

24 56

周辺 57% 低遅延

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

20.1 14.4

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

10.5 9.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 12800

周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

24 56
読み出し速度、GB/s

14.4 20.1
書き込み速度、GB/秒

9.4 10.5
メモリ帯域幅、mbps

12800 19200

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2267 2455

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

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G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB

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Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB

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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

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Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB

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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB

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Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB

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TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB

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