RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Compara
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Puntuación global
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
56
En 57% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
56
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2267
2455
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link