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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB

総合得点
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

総合得点
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G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 44
    周辺 -29% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 13.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 9.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    13.2 left arrow 17.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.1 left arrow 14.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2302 left arrow 3138

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Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
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メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston 9905664-010.A00G 4GB
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メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
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