Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB

-->

Средняя оценка

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Причины выбрать
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 44

Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.4 13.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.3 9.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 34
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 17.4
Скорость записи, Гб/сек

9.1 14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2302 3138

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB

Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Kingston 9905625-062.A00G 8GB

Kingston 9905625-062.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB

Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB

Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB

Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB

SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB

модули RAM

Kingston XRMWRN-MIE2 16GB

Kingston XRMWRN-MIE2 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

модули RAM

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

InnoDisk Corporation 16GB

InnoDisk Corporation 16GB

модули RAM