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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

総合得点
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

総合得点
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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB 考慮すべき理由
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 44
    周辺 -16% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 13.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.9 left arrow 9.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    13.2 left arrow 13.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.1 left arrow 10.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2302 left arrow 2581

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB RAMの比較

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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
メモリRAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
InnoDisk Corporation 16GB
InnoDisk Corporation 16GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
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メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
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メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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