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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

総合得点
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

総合得点
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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB 考慮すべき理由
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB 考慮すべき理由
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 44
    周辺 -16% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 13.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.9 left arrow 9.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    13.2 left arrow 13.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.1 left arrow 10.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2302 left arrow 2581

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Kingston 9905713-019.A00G 4GB
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メモリRAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
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メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
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メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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メモリRAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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