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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
44
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
38
读取速度,GB/s
13.2
13.9
写入速度,GB/s
9.1
10.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
2581
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
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