G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB

総合得点

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

総合得点

Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB

相違点仕様コメント

相違点

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

4 17.3

テスト平均値

Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB

考慮すべき理由
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

29 52

周辺 -79% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

14.5 1,479.2

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 5300

周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

52 29
読み出し速度、GB/s

4,226.4 17.3
書き込み速度、GB/秒

1,479.2 14.5
メモリ帯域幅、mbps

5300 21300

Other

商品説明

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

590 3395

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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PNY Electronics PNY 2GB

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Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB

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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

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