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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

総合得点
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 14.8
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 52
    周辺 -108% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 1,479.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    4,226.4 left arrow 14.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,479.2 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    590 left arrow 2542

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