RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
52
Около -108% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
1,479.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,226.4
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,479.2
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
590
2542
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ?????? 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link