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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
総合得点
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
総合得点
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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考慮すべき理由
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
26
周辺 -4% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.1
13.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.9
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
25
読み出し速度、GB/s
13.2
15.1
書き込み速度、GB/秒
8.4
11.9
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2070
2914
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
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Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
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