RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB против Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2914
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link