RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
比較する
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
総合得点
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
総合得点
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
33
周辺 21% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.6
13.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
33
読み出し速度、GB/s
13.2
17.6
書き込み速度、GB/秒
8.4
12.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2070
2910
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAMの比較
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMT41GR7AFR8A-PB 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link