RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

総合得点
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
バグを報告する
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB 考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 26
    周辺 -8% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.7 left arrow 13.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.6 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    13.2 left arrow 14.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 8.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2070 left arrow 2434

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAMの比較

A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
メモリRAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
メモリRAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
メモリRAM