RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

総合得点
star star star star star
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 32
    周辺 3% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 11.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.9 left arrow 8.7
    テスト平均値
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB 考慮すべき理由
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    31 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    17.4 left arrow 11.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.9 left arrow 8.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2735 left arrow 1875

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAMの比較

Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB

Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
メモリRAM
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
メモリRAM
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
メモリRAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
メモリRAM