RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
比較する
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
総合得点
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
総合得点
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
46
63
周辺 27% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
5
16.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
8.2
1,852.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
63
読み出し速度、GB/s
5,535.6
16.6
書き込み速度、GB/秒
1,852.4
8.2
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
858
1863
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAMの比較
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link