RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
63
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
63
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
1863
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link