RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 49
    周辺 27% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.4 left arrow 15.8
    テスト平均値
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.0 left arrow 10.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 49
  • 読み出し速度、GB/s
    16.4 left arrow 15.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.5 left arrow 11.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2618 left arrow 2534

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB RAMの比較

G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB RAMの比較

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A00LF 4GB
Kingston 9905458-017.A00LF 4GB
Kingston 9905458-017.A00LF 4GB
Kingston 9905458-017.A00LF 4GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
メモリRAM