RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
49
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
10.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
49
Prędkość odczytu, GB/s
16.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.5
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2618
2534
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link