RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
67
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
67
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2042
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link