RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
67
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.2
2,061.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
67
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
15.3
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2042
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link