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G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
比較する
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
総合得点
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
総合得点
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
40
86
周辺 53% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.5
12.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.3
5.7
テスト平均値
考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
40
86
読み出し速度、GB/s
14.5
12.1
書き込み速度、GB/秒
9.3
5.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2513
1220
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
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Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
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