RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
86
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
5.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
86
Prędkość odczytu, GB/s
14.5
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
5.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2513
1220
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link