RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
62
Wokół strony -182% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
22
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3264
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link