RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
62
Около -182% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.9
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
22
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
18.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3264
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link