RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
77
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.4
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2110
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link