RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
66
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2866
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link