RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
87
Wokół strony -383% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
18
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3529
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link