RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
62
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
62
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1586
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link