RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
62
Около 61% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
6.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
62
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1586
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link