RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
41
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
19
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2324
3192
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link