RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
49
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
48
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2852
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link