RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
49
Около -2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
48
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
16.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2852
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link