RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Porównaj
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2388
4084
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link