RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
77
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
43
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2501
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Mushkin 991586 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link