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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GAR 8GB

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs G Skill Intl F3-1600C9-8GAR 8GB

総合得点
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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

総合得点
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G Skill Intl F3-1600C9-8GAR 8GB

G Skill Intl F3-1600C9-8GAR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    21 left arrow 42
    周辺 50% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 12.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.1 left arrow 7.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21% 高帯域
G Skill Intl F3-1600C9-8GAR 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F3-1600C9-8GAR 8GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GAR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    21 left arrow 42
  • 読み出し速度、GB/s
    16.0 left arrow 12.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.1 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2581 left arrow 2248

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Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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Kingston 9905624-008.A00G 8GB
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