RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
比較する
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
総合得点
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
総合得点
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
38
周辺 26% 低遅延
考慮すべき理由
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15
12.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.7
7.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
8500
周辺 2.51 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
38
読み出し速度、GB/s
12.7
15.0
書き込み速度、GB/秒
7.5
10.7
メモリ帯域幅、mbps
8500
21300
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1988
2845
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAMの比較
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link