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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

総合得点
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

総合得点
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Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB 考慮すべき理由
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    52 left arrow 71
    周辺 -37% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.5 left arrow 2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.1 left arrow 1,322.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    71 left arrow 52
  • 読み出し速度、GB/s
    2,831.6 left arrow 20.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,322.6 left arrow 10.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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