Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

総合得点

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

総合得点

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

バグを報告する

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

考慮すべき理由
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

52 71

周辺 -37% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

20.5 2

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

10.1 1,322.6

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 5300

周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

71 52
読み出し速度、GB/s

2,831.6 20.5
書き込み速度、GB/秒

1,322.6 10.1
メモリ帯域幅、mbps

5300 17000

Other

商品説明

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

399 2472

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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