RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
71
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
52
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2472
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link