RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
71
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
52
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2472
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link