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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
38
读取速度,GB/s
12.7
15.0
写入速度,GB/s
7.5
10.7
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2845
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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