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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston 9905704-007.A00G 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
101
左右 47% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
101
读取速度,GB/s
9.2
14.2
写入速度,GB/s
8.1
6.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
1399
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
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