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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
比较
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
总分
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
总分
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
47
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
47
读取速度,GB/s
13.0
11.2
写入速度,GB/s
9.0
8.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
2362
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
InnoDisk Corporation 16GB
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