RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB

総合得点
star star star star star
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    21 left arrow 30
    周辺 30% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.1 left arrow 10.6
    テスト平均値
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB 考慮すべき理由
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    21 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    16.0 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.1 left arrow 10.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2581 left arrow 3026

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB RAMの比較

G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
メモリRAM
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
メモリRAM