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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
総合得点
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
総合得点
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
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仕様
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考慮すべき理由
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
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書き込み速度の高速化、GB/s
13.7
11.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
28
読み出し速度、GB/s
18.2
18.2
書き込み速度、GB/秒
11.5
13.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3067
3389
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
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