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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
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规格
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
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更快的写入速度,GB/s
13.7
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
28
读取速度,GB/s
18.2
18.2
写入速度,GB/s
11.5
13.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
3389
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
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