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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,066.5
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
4,577.1
19.0
写入速度,GB/s
2,066.5
14.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
3651
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
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Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
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